机译:在基于碳纳米管网络薄膜的场效应中将亚阈值摆动提高到热电子发射极限
Peking Univ, Key Lab Phys & Chem Nanodevices, Beijing 100871, Peoples R China;
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机译:低温亚阈值摆动的理论极限在现场效应晶体管中的摆动
机译:亚阈值摆幅低于物理极限的MoS_2负电容场效应晶体管
机译:陡峭的亚阈值摆幅接近理论极限的完全固溶处理的底栅有机场效应晶体管
机译:自对准的40 nm通道碳纳米管场效应晶体管,其亚阈值摆幅低至70mV /十倍
机译:碳纳米管的场发射和碳纳米管中的化学镀银:利用在多孔氧化铝中形成的碳纳米管。
机译:基于选择性化学的半导体分离单壁碳纳米管和纳米管阵列的对准用于场效应晶体管应用的电场下的网络
机译:低温亚阈值摆动的理论极限在现场效应晶体管中的摆动