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机译:氢和碳氟自由基注入的新型Ar〜+束二维纳米石墨烯片的成核和垂直生长的关键因素
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan;
Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan;
机译:气相中碳氟化合物大分子的生长:IV。 Li +附着质谱研究Ar / c-C4F8等离子体下游区域中的大量中性自由基
机译:沉积在MgO(001)衬底上的InTaO4薄膜的初始生长阶段以及通过部分覆盖有片状Ta靶的Ar离子束溅射辅助O-2-离子束
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机译:从重晶石凝胶中形成和生长α氧化铝的关键因素。
机译:纳米石墨烯片的成核和垂直生长