机译:有限偏置下多畴铁电-并联纳米电容器中负电容的出现
Univ Tokyo, Inst Solid State Phys, Kashiwa, Chiba 2778581, Japan;
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Seoul Natl Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 151742, South Korea|Seoul Natl Univ, Interuniv Semicond Res Ctr, Seoul 151742, South Korea;
Seoul Natl Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 151742, South Korea;
机译:多域负电容效应P(VDF-TRFE)铁电电容和被动电压放大
机译:多畴铁电超晶格中的负电容
机译:Cr / p-si肖特基势垒二极管(SBD)的正向偏置电容-电压中的负电容和异常峰的来源
机译:适用于逻辑电路的负电容FET的基于表面电势的紧凑模型:具有时间依赖性和多域交互作用
机译:特质焦虑和特质压抑对注意偏向对积极刺激的负面影响的时间动态的影响:新的时间注意偏向模式内表型的发展。
机译:圆形平行板纳米涂料的能量存储和电容
机译:多畴铁电超晶格中的负电容