...
机译:用于量子阱太阳能电池的黄铜矿半导体
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
Instituto de EnergÍa Solar - ETSIT Universidad PolitÉcnica de Madrid Ciudad Universitaria s.n. 28040 Madrid Spain;
Department of Materials Science and Engineering University of Illinois 1304 W. Green Street Urbana IL 61801 USA;
Nanoscience Center Department of Physics University of Jyvskyl FI-40014 Jyvskyl Finland;
Helmholtz-Zentrum Berlin fÜr Materialien und Energie Hahn-Meitner-Platz 1 14109 Berlin Germany;
photovoltaic devices; solar cells; CuInSe2; quantum wells;
机译:黄铜矿半导体CuXSe_2(X = Al,Ga和In)在太阳能电池中的用途:理论研究
机译:溅射宽间隙化合物半导体在黄铜矿太阳能电池中形成结
机译:Cu(In,Ga)Se-2黄铜矿半导体中带隙分级的高效太阳能电池新方法
机译:高效率,高压太阳能电池通过带隙和Cu(In,Ga)(Se,Se){Sea} 2氯偶半导的缺陷工程
机译:通过综合实验和模型研究,基于纳米结构宽带隙半导体的染料和量子点敏化太阳能电池。
机译:基于共轭聚合物与II–VI和IV–VI无机半导体量子点共混物的体相异质结太阳能电池
机译:用于薄膜太阳能电池的黄铜矿化合物半导体
机译:用于太阳能电池应用的II - IV - V sub 2黄铜矿半导体的研究。 1977年7月1日至1977年9月30日第4号季度报告。