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机译:强掺杂硅中辐射缺陷的活化能的变化取决于掺杂剂的类型和浓度
Lublin University of Technology, Nadbystrzycka 38A, 20-618 Lublin, Poland;
Lublin University of Technology, Nadbystrzycka 38A, 20-618 Lublin, Poland;
kinetics of defect formation and annealing; Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductors;
机译:使用纳秒激光退火的(111)硅衬底上原位磷掺杂硅的缺陷还原和掺杂剂活化
机译:β粒子的低强度通量辐照的硅中供体和受体型辐射缺陷浓度的非单调变化
机译:非晶态二氧化硅中辐射诱导的缺氧点缺陷的退火:反应活化能分布的证据
机译:硼 - 氧缺陷:其浓度是否真实取决于硼/掺杂剂浓度?
机译:潜在的激活动力学是掺杂剂-掺杂剂和掺杂剂-缺陷过程。
机译:放射性双侧原发性THA松动伴无菌性Paprosky IIB型髋臼缺损和对侧脓毒症IIIB型髋臼缺损的处理:病例报告和文献复习
机译:通过控制植入空位注射空位通过高能离子照射的解决方案解决方案
机译:半导体中的辐射损伤n1)辐照增强在硅中的扩散2)辐照半导体中的存储能量n3)辐照半导体中的缺陷迁移率