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直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法

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摘要

使用由砷与硅的混合烧结体构成的、硅对砷的摩尔比为35％～55％的砷掺杂剂，用直拉法直拉单晶硅。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-05-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B15/04 授权公告日:20071114 终止日期:20130329 申请日:20050329

专利权的终止
2007-11-14

授权

授权
2005-12-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-10-19

公开

公开

1. 直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法 [P] . 中国专利： CN1683605A . 2005-10-19
2. 氮掺杂剂加料装置、方法及氮掺杂单晶硅棒的制造系统 [P] . 中国专利： CN113882015A . 2022-01-04
3. Arsenic dopants for pulling of silicon single crystal, process for producing thereof and process for producing silicon single crystal using thereof [P] . 美国专利： US2005215057A1 . 2005-09-29

机译：用于提拉单晶硅的砷掺杂剂，其制备方法和使用其的单晶硅制备方法
4. Process for preparing an arsenic-doped single crystal silicon using a submersed dopant feeder [P] . 美国专利： US2003061985A1 . 2003-04-03

机译：使用浸入式掺杂剂进料器制备掺砷单晶硅的方法
5. A method for producing an arsenic - dopant for the pulling of silicon single crystals [P] . 德国专利： DE102005013787B4 . 2008-01-31

机译：一种拉单晶硅的砷掺杂剂的生产方法。