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Combining combing and secondary ion mass spectrometry to study DNA on chips using13C and15N labeling

机译:结合梳理和二次离子质谱技术使用芯片研究芯片上的DNA13C和15N标签

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摘要

Dynamic secondary ion mass spectrometry ( D-SIMS) imaging of combed DNA – the combing, imaging by SIMS or CIS method – has been developed previously using a standard NanoSIMS 50 to reveal, on the 50 nm scale, individual DNA fibers labeled with different, non-radioactive isotopes in vivo and to quantify these isotopes. This makes CIS especially suitable for determining the times, places and rates of DNA synthesis as well as the detection of the fine-scale re-arrangements of DNA and of molecules associated with combed DNA fibers. Here, we show how CIS may be extended to 13C-labeling via the detection and quantification of the 13C 14N - recombinant ion and the use of the 13C: 12C ratio, we discuss how CIS might permit three successive labels, and we suggest ideas that might be explored using CIS.
机译:梳理后的DNA的动态二次离子质谱(D-SIMS)成像-通过SIMS或CIS方法进行的梳理,成像-先前已使用标准NanoSIMS 50进行了开发,以在50 nm尺度上揭示标有不同,体内的非放射性同位素并量化这些同位素。这使得CIS特别适合于确定DNA合成的时间,位置和速率,以及检测DNA和与精梳DNA纤维相关的分子的小规模重排。在这里,我们展示了如何通过检测和量化 13 C 14 N -将CIS扩展到 13 C标签重组离子以及使用 13 C: 12 C比率,我们讨论了CIS如何允许连续三个标记,并提出了可能被探索的想法使用CIS。

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