Transition metal dichalcogenide monolayer growth CVD 1T′-MoTe2 weak antilocalization;
机译:化学气相沉积生长的单层单晶1T'-MoTe2具有弱的抗局部化作用
机译:用化学气相沉积生长1T'-Mote2纳米线中的一维弱的防蚀作用
机译:通过化学气相沉积合成的2H / 1T'mote2内外过度结构的低接触屏障
机译:低压化学气相沉积法在铜箔上可控合成单晶单层石墨烯
机译:通过化学气相沉积合成调节单层过渡金属二甲硅藻的电导率
机译:在化学气相沉积生长的单层MoS2中与真空水平有关的光致发光
机译:热力学和动力学协同相位 - 化学气相沉积的相工程,种植单晶Mote2纳米片