机译:在MQW有源层和n-GaN覆盖层之间具有InGaN插入层的,基于GaN的蓝色LED的改进性能
机译:在GaN势垒和InGaN阱之间具有超薄插入层的InGaN / GaN基蓝色LED的增强性能
机译:插入低温n-GaN基础层以分隔非辐射复合中心可提高蓝色InGaN / GaN LED的发光效率
机译:通过对自由表面进行构图来提高InGaN / GaN蓝色LED的光提取效率
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:沉积后刻蚀的滴滴法制备周期性聚苯乙烯纳米球阵列及其在提高InGaN / GaN LED的光提取效率中的应用
机译:GaOOH NRA使用薄的ATO种子层改善了InGaN / GaN蓝色LED的光提取
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化