III–V nanowires Dilute nitride Vapor-liquid-solid growth Mixed dislocations Stacking faults;
机译:反应性VLS和ZnO纳米线生长的VS和VLS生长模式之间的可逆转换
机译:GAP / GAPN核心壳纳米线的MOVPE生长:N掺入,形态和晶体结构
机译:生长动力学对直接带隙GE1XSNX纳米线Sn的影响
机译:Au催化ZnO纳米线的生长机理:VLS或VS-VLS?
机译:MBE-VLS生长的硒化锌和硫化锌纳米线:生长机理和光致发光特性。
机译:在电信波长范围内高砷掺入GaAsSb纳米线的两步生长途径
机译:硅衬底表面条件对锗纳米线VLs生长的影响