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Dense growth method of carbon nanowires on surface of pores or gaps inside structure, and hierarchical structure thereof

机译:碳纳米线在结构内部的孔或间隙的表面上的密集生长方法及其分层结构

摘要

The present invention relates to a method for synthesizing carbon nanowires directly on the internal surface of a three-dimensional structure including a carbon structure and, more particularly, to a method for synthesizing carbon nanowires at high density on the surface of pores or gaps present in a structure, and a hierarchical structure synthesized by the method. According to the present invention, it is possible to fill fine pores or gaps in a structure, which cause a reduction in mechanical properties or conductivity, with high-density carbon nanowires, thus significantly improving mechanical or electrical performance of a final product.
机译:本发明涉及在包括碳结构的三维结构的内表面上直接合成碳纳米线的方法,更具体地,涉及在存在于碳纳米管中的孔或间隙的表面上以高密度合成碳纳米线的方法。结构,以及通过该方法合成的层次结构。根据本发明,可以用高密度的碳纳米线填充结构中的细孔或间隙,这会导致机械性能或导电性的降低,从而显着改善最终产品的机械或电性能。

著录项

  • 公开/公告号KR101395611B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-05-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20120111932

  • 申请日2012-10-09

  • 分类号B82B3/00;C01B31/02;B82B1/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:56

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