Semiconductor materials InGaN/GaN multiple quantum wells Photoluminescence Carrier localization;
机译:用光致发光研究InGaN / GaN量子阱中两种局部状态之间的载流子重分布
机译:近场光致发光研究半极性<202>(202’1) InGaN>量子阱中不同位点之间的载流子重新分布
机译:通过近场光致发光研究了半极性(2021)InGaN量子阱中不同位点之间的载流子重新分布
机译:InGaN / GaN多量子阱结构中的双组分光致发光衰减和载流子定位
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:通过光致发光研究的Ingan / GaN量子孔的两种局部状态之间的载体再分配