首页> 美国卫生研究院文献>Scientific Reports >Hydrogen physisorption based on the dissociative hydrogen chemisorption at the sulphur vacancy of MoS2 surface
【2h】

Hydrogen physisorption based on the dissociative hydrogen chemisorption at the sulphur vacancy of MoS2 surface

机译:基于MoS2表面硫空位时解离氢化学吸附的氢物理吸附

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We provide a new insight that the sulphur-depleted MoS2 surface can store hydrogen gas at room temperature. Our findings reveal that the sulphur-vacancy defects preferentially serve as active sites for both hydrogen chemisorption and physisorption. Unexpectedly the sulphur vacancy instantly dissociates the H2 molecules and strongly binds the split hydrogen at the exposed Mo atoms. Thereon the additional H2 molecule is adsorbed with enabling more hydrogen physisorption on the top sites around the sulphur vacancy. Furthermore, the increase of the sulphur vacancy on the MoS2 surface further activates the dissociative hydrogen chemisorption than the H2 physisorption.
机译:我们提供了一个新的见解,即贫硫的MoS2表面可以在室温下存储氢气。我们的发现表明,硫空位缺陷优先充当氢化学吸附和物理吸附的活性位点。出乎意料的是,硫空位立即分解了H2分子,并在暴露的Mo原子上牢固地结合了分裂的氢。在其上,额外的H2分子被吸附,使更多的氢物理吸附在硫空位周围的顶部。此外,与H2物理吸附相比,MoS2表面硫空位的增加进一步激活了离解氢化学吸附。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号