机译:对单个钙通道中异常摩尔分数效应的电压和浓度依赖性的理论研究。对多离子通道表征的新见解。
机译:质子与单个开放L型钙通道的相互作用。质子化位置的位置以及质子诱导的电流波动对渗透离子浓度和种类的依赖性。
机译:渗透到二氢吡啶敏感性钙通道中。多离子占据,但Ba2 +和Ca2 +之间没有异常的摩尔分数影响。
机译:莫那霉素诱导的单通道。二。宏观电导的电压依赖性的起源。
机译:由于源极和漏极附近的高浓度区域,NMOSFET中阈值电压可变性的反背斜依赖性
机译:I.G蛋白调节P / Q型钙通道的电压依赖性的起源。二。 Pax6的新尾巴及其与钙通道β亚基的相互作用。
机译:异常的摩尔分数效应静电和离子通道中的结合。
机译:对单个钙通道中异常摩尔分数效应的电压和浓度依赖性的理论研究。对多离子通道表征的新见解。