机译:0.35μmCMOS SPAD的设计,表征和分析
机译:CMOS 0.35 MU M技术紧凑数字RF MEMS电容器及相移器的设计与表征
机译:采用0.35μm数字CMOS技术的2.5 Gbps光接收器模拟前端的设计与分析
机译:设计用于荧光寿命光谱的CMOS SPAD传感器的特性
机译:使用0.35微米CMOS技术的RF宽带低噪声放大器的设计。
机译:应用于CMOS图像传感器的单光子雪崩二极管(SPAD)中的电容弛豫猝灭建模与分析
机译:0.35μmCMOS SPAD的设计,表征和分析