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论文说明:图目录、表目录
独创性声明及关于论文使用授权的说明
第一章绪论
1.1研究的背景与意义
1.2设计工艺的选择
1.3本论文的主要工作
1.4本文的组织结构
第二章CMOS RFIC器件模型
2.1集成无源器件
2.1.1电阻
2.1.2电容
2.1.3电感
2.2射频MOS器件模型
第三章统一热噪声和冲击噪声的低噪声放大器噪声分析
3.1噪声源分类
3.1.1冲击噪声(Shot Noise)
3.1.2热噪声(Thermal Noise)
3.1.3闪烁噪声(Flicker Noise)
3.2 MOS晶体管噪声模型
3.2.1漏极电流噪声
3.2.2栅噪声
3.2.3 MOS的完整噪声模型
3.3经典的二端口网络噪声理论
3.3.1线性二端口网络的噪声因子
3.3.2最优的源噪声导纳
3.4冲击噪声、热噪声的统一建模
3.4.1模型说明
3.4.2热噪声、冲击噪声统一表达式
3.5基于热噪声、冲击噪声统一模型的低噪声放大器分析
3.5.1预备公式
3.5.2推导单管低噪声放大器网络噪声参数
3.5.3最小噪声系数的推导
第四章混频器性能指标分析与设计折衷考虑
4.1混频器的分类与结构
4.1.1单平衡混频器的工作原理
4.1.2双平衡混频器工作原理
4.2混频器指标分析以及设计中的折衷考虑
4.2.1转换增益与带宽
4.2.2线性度
4.2.3端口隔离度
4.2.4低电压供电
4.2.5噪声系数
第五章两级混频器设计与级联仿真
5.1混频器电路设计
5.1.1 2.4GHz频段混频器电路设计
5.1.2 49MHz频率的混频器设计
5.2偏置电路的设计
5.3版图设计
5.3.1抑制干扰
5.3.2减小寄生参数
5.3.3混频器核心单元版图设计的考虑及最终版图形式
5.4两级混频器的仿真结果
5.4.1 2.4GHz频段混频器仿真结果
5.4.2 2.4GHz频段混频器仿真结果分析
5.4.3 49MHz混频器仿真结果
5.4.4 49MHz混频器仿真结果分析
5.5 2.4GHz频段低噪声放大器和混频器的级联仿真
第六章结论
6.1论文工作总结
6.2进一步工作的建议
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果