V-defect InGaN/GaN QWs LEDs NSOM quantum efficiency;
机译:使用近场扫描光学显微镜对InGaN / GaN QWs LED中的V缺陷进行纳米级表征
机译:近场光学显微镜和扫描开尔文显微镜研究AlGaN / GaN薄膜上的V缺陷
机译:使用光学透射光谱和近场扫描光学显微镜研究InGaN中纳米级成分的波动
机译:光透射光谱和近场扫描光学显微镜in IngaN中纳米级组成波动的研究
机译:薄膜材料纳米级表征的新技术:单分子荧光检测和近场扫描光学显微镜。
机译:使用近场扫描光学显微镜和相关分析研究带有V坑的InGaN / GaN量子阱中的载流子定位和转移
机译:通过时间分辨多模扫描近场光学显微镜区分InGaN / GaN单量子阱结构中的局部辐射和非辐射复合过程