首页> 中文期刊> 《真空科学与技术学报》 >覆氧条件下SIMS定量分析的半理论计算

覆氧条件下SIMS定量分析的半理论计算

         

摘要

以金属表面覆氧时二次离子发射的实验为基础,对二次离子质谱定量分析进行了研究。注意到金属元素的正离子产额随氧压升高而增加,而电负性高的元素离子信号有上升更多的趋势,完善了“结合LTE-断键”思想。并认为断键方式形成正、负二次离子的数目不仅与表面生成了多少氧化物有关,而且与氧化物的结合强度有关。如果定量估算表面氧化物数目及氧化物键强两个因素对离子产额的影响,将它们都与元素的电负性建立一定的关系,从而推导出表面覆氧时定量考虑断键形成二次离子的离子产额理论关系式,其中包含了覆氧量及元素电负性的因素。所介绍的定量分析方法适用于较宽的实验条件,可获得较好的结果。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号