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许宇庆; 陶向明; 叶高翔; 葛洪良; 张其瑞;
浙江大学物理系;
铁电; 薄膜; 贮存器;
机译:Meglas辅助在0.7Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-0.3PbTiO(3)单晶上生长的Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 / La0.67Sr0.33MnO3薄膜的巨磁电系数
机译:双激光烧蚀在控制表面质量和铁电性能增强的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜外延生长中控制Pb耗尽的作用
机译:出版商注:“双激光烧蚀在控制外延生长具有增强表面质量和铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中控制Pb耗尽的作用” [J.应用物理111,064102(2012)]
机译:Pb(Mn1 / 3Nb2 / 3)O3-Pb(Zn1 / 3Nb2 / 3)O3- Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷的晶格结构和压电性能
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:PB1-Xlax(Zr0.52Ti0.48)的压电性能1-X / 4O3薄膜通过原位X射线衍射研究
机译:BifeO3 / Pb(Zr0.52Ti0.48)渗出电流性能的铁电,渗漏液通过化学溶液沉积制备的O3Multilayer薄膜
机译:a位点和/或B位点改性的pbZrTiO3材料和(pb,sr,Ca,Ba,mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
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