半导体材料二次离子质谱定量分析中的基体效应

摘要

通过对Wilson等人由实验得出的Si，Ge，GaAs，GaP，InP，CdHgTe半导体和SiO2，Si3N4等绝缘基体中70多种注入元素相对灵敏度因子（RSF）值的综合分析，定义logFRS－Ii直线斜率为基体效应因子。发现基体效应因子值随基体平均原子序数的增加而增大，随基体平均电负性值的增大而减小，随基体氧化物生成热的增加而减小。应用本文提出的二次正离子发射理论分析式较好地解释了这些实验现象，并对影响基体效应的其他因素进行了进一步的讨论。