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真空灭弧室开断后氧化铝瓷表面冷凝的金属蒸汽的研究

         

摘要

对真空灭弧室开断后瓷壳(高纯Al2O3)表面绝缘性能的基础研究已经进行过。为了研究屏蔽筒对于瓷壳表面金属蒸汽冷凝的防护作用。我们使用不同类型的真空灭弧室(Ⅵ),即有屏蔽筒和无屏蔽筒的灭弧室。另外,还研究对比了CuCr25(重量百分比)和WCAg40(重量百分比)两种触头材料的金属蒸汽与氧化铝瓷表面附着力的差别。对真空灭弧室进行高压考炼后,在触头之间触发产生一个任意燃弧时间的直流电弧,它可模拟大电流开断和负载开断时产生的金属蒸汽,在每次燃弧测试之间,所有灭弧室的绝缘水平都用一个交流高压源来检测。之后,将真空灭弧室打开,用电子扫描显微镜(SEM)来分析瓷壳内表面冷凝金属的微观结构,用电感淹合等离子法(ICP)来研究金属层的化学成份,为了比较触头材料与冷凝的金属蒸汽层电性能之间的关系,还测量了金属蒸汽冷凝层的电导。

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