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电致变色热控器件ITO膜层的制备与研究

         

摘要

针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压力、氩,氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100~120 Ω/cm左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5%,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求.

著录项

  • 来源
    《真空与低温》 |2008年第1期|32-36,40|共6页
  • 作者单位

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光学性质;
  • 关键词

    电致变色器件; ITO薄膜; 制备工艺;

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