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基于分子模拟技术的极端高温条件下材料介电性能的初步研究

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摘要

介绍了分子模拟技术及其数学基础和常用的分子模拟软件,然后以氧化硅晶体为例介绍了分子模拟的计算方法,研究了氧化硅材料极端高温下的介电性能,分析了分子模拟的计算结果.结果显示分子模拟技术在研究材料介电性能方面是可行的,表明该方法是一个有着巨大潜力的研究领域.

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来源
《电工技术学报》 |2006年第4期|1-6|共6页
作者
成永红; 谢小军; 陈小林; 崔浩; 冯武彤; 赵磊;
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作者单位

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘材料、电介质及其制品;
关键词
分子模拟; 极端高温; 介电性能;

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