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张佐兰; 林慈;
不详;
LB膜; 击穿; 时间相关特性; 绝缘膜;
机译:等离子体处理期间引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:0.7 nm EOT $ hbox {HfO} _ {2} $ pFET的时间相关介电击穿和应力引起的漏电流特性
机译:含四吡啶鎓和甲基橙的邻苯二甲腈的合成LB膜的制备及光致变色特性的研究
机译:激光诱导等离子体的物理和光谱特性研究:应用于激光诱导击穿光谱分析气溶胶和单个颗粒。
机译:激光诱导击穿光谱法和激光击穿飞行时间质谱法对痕量物质检测特性的比较
机译:研究Langmuir和Langmuir-Blodgett(LB)膜中分子水平相互作用的表征技术研究Langmuir和Langmuir-Blodgett(LB)膜中分子水平相互作用的表征技术
机译:通过折叠式聚合物LB膜中的90个双层膜持续进行面内有序
机译:制造能够改善电迁移特性,齐纳电压特性和时间相关介电击穿特性的半导体器件的方法
机译:门绝缘膜的电击穿寿命的评估方法,门绝缘膜的电击穿寿命的评估装置以及用于门绝缘膜的电击穿寿命的评估程序
机译:门绝缘膜的电击穿寿命的评估方法,门绝缘膜的电击穿寿命的评估装置,以及门绝缘膜的电击穿寿命的评估程序
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