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C.; Daucher; D.; Seng; A.; Wahi;
SEMIKRON;
Electronic;
GmbH;
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Co.;
KG;
International;
IGBT功率模块; 芯片技术; 产品平台; 逆变器; 设计; 理想; 模块封装; 电压等级; 芯片模块; 导通损耗;
机译:IGBT逆变器:功率模块需要全面的热管理设计
机译:IGBT逆变器:功率模块需要彻底的热管理设计
机译:带有IGBT大功率模块的逆变器的设计方面
机译:新型1200 V SPT +芯片技术和17 mm IGBT功率模块平台-最新逆变器设计的理想组合
机译:用于电动汽车和混合动力汽车的液冷IGBT功率模块的无压银纳米粉末烧结结合剂
机译:用于改善电网质量并测试商用光伏逆变器的并网逆变器的最佳电流控制器设计
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:用于并网光伏系统的逆变器的工作原理和一些测试结果。第1部分:用于并网光伏系统的逆变器和mppT的工作原理,以及第2部分:弗劳恩霍夫逆变器和TUE-IGBT逆变器的实验对比分析结果
机译:逆变器能力的功率模块的冷却风扇装置,该功率模块可从IGBT模块单元产生冷却热
机译:逆变器电路对于放电灯,先开启第二/第三IGBT,然后再开启第一/第四IGBT,然后再关闭第一/第四IGBT,然后再阻止第二/第三IGBT
机译:对具有先进机械特性的受试者进行udf的方法,方法是通过对层压板(尤其是varmelamineret)和涂覆的最光滑的板进行冲压而设计而成的 u00e5lb u00e5nd
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