首页> 中文期刊>电信科学 >截止频率高600兆週的半导体

截止频率高600兆週的半导体

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

<正> 美国贝尔电话研究所,宣布—种用新式方法制成的半导休—扩散基底(Diffused base)半导休。试验证明,这种半导体可以作20兆週/秒宽频带的放在器,用在一条电话线上能同时增大2500对通话。制造特

著录项

来源
《电信科学》|1956年第2期|P.46-46|共1页
作者

展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类波导、波导管、波导传输线;
关键词
截止频率; 美国贝尔; 具尔; 工作频率; 月三;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高通截止频率对sEMG估计握力的影响 [J] . 侯文生 ,马丽 ,吴小鹰 . 中国生物医学工程学报 . 2008,第005期
2. 高截止频率高磁导率软磁铁氧体材料的开发 [J] . 须栋 ,李玉凤 . 磁性材料及器件 . 2005,第003期
3. 高截止频率异质结双极晶体管的研制 [J] . 曾庆明 ,东熠 . 半导体情报 . 1991,第005期
4. 离子缔合型离子敏感半导体传感的研制：Ⅰ.PVC膜高锰酸根半导体感器 [J] . 黄强 ,李智民 . 化学传感器 . 1989,第003期
5. 离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——I.PVC膜高锰酸根半导体传感器 [J] . 黄强 ,李智民 . 渭南师范学院学报 . 1988,第001期
6. 高截止频率RFLDMOS结构设计 [C] . Mao Ning ,毛宁 ,Qian Qingsong . 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 . 2011
7. 高截止频率GaN基肖特基二极管结构研究 [A] . 王家男 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号