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王晓华; 赵倩;
上海电力学院 上海 200000;
宽长比; 黑盒子法; 支路法;
机译:采用0.18μm双极CMOS-DMOS技术优化横向双扩散MOS晶体管,适用于宽电压应用
机译:在块状硅衬底上形成栅长20 nm,鳍宽6 nn的CMOS FinFET的工艺集成技术和器件特性
机译:金属PO1Y-SI CMOS晶体管热膜PO1Y-SI CMOS晶体管劣化
机译:直接检测在CMOS晶体管阵列上组装长,周期性,SSDNA纳米结构
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:一种使用CmOs兼容的忆阻神经网络计算引擎 电荷陷阱晶体管(CTT)
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:包括共栅的CMOS薄膜晶体管,包括该CMOS薄膜晶体管的逻辑器件以及制造该CMOS薄膜晶体管的方法
机译:级联到具有PMOS上拉晶体管的CMOS驱动器的bi-CMOS缓冲器,该晶体管的阈值电压大于bi-CMOS双极上拉晶体管的VBE
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