1064nm纳秒脉冲激光辐照水下锗材料光谱研究

摘要

cqvip:为了研究水对激光辐照半导体锗材料的影响,利用1064nm纳秒脉冲激光辐照锗材料,改变激光能量与锗材料所处环境,对其散射光谱进行采集与分析。结果表明,作用在空气中锗材料表面单脉冲激光能量35mJ,产生较多等离子体谱线。作用在薄层水覆盖的锗材料表面单脉冲激光能量35mJ、50mJ、100mJ,锗材料特有等离子体谱线消失。作用在水下50mm锗材料表面单脉冲激光能量35mJ,采集散射谱线表现为辐射谱形式,所有等离子体谱线消失。等离子体谱线的差异代表了激光辐照锗材料的损伤机理与损伤效果存在差异。此结果对于激光水下加工半导体材料以及军事光电对抗方面有着重要应用前景。