理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究

摘要

本文运用能带理论与载流子扩散模型[1-2]推导出理想状态下p-CuSCN/n-ZnO透明异质结的能带结构及无光照条件下的J-V特性表达式，并以此来对p-CuSCN/n-ZnO的J-V特性曲线进行研究。研究结果表明：CuSCN与ZnO两者的禁带宽度相差较小，这导致理想状态下遵循普通扩散模型和Anderson扩散模型[1]载流子运输机制运动的载流子数量极其有限，ZnO的掺杂浓度会对p-CuSCN/n-ZnO异质结反向饱和电流密度[3]产生影响， p-CuSCN/n-ZnO异质结的内建势垒大小受到两者掺杂浓度的影响。温度的变化会影响p-CuSCN/n-ZnO异质结的反向饱和电流密度[3]的大小，温度和价带带阶的变化都会使得p-CuSCN/n-ZnO异质结的内建势垒产生变化。