硅功率器件P型扩散区耗尽层及耐压研究

摘要

对N型硅单晶深扩散所形成的P型扩散区,进行关于P型耗尽层界面的研究,导出P型耗尽层方块电阻及耐压的结论,提出P型耗尽层宽度的测量方法。首次为国内硅半导体器件的工艺设计提供理论量化依椐。