高压功率VDMOSFET的设计与研制

摘要

按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取(100)晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求.结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥梁.相对于原来小批量投片、反复试制的方法,不仅节约了时间,降低了研制成本,而且模拟结果与实际试制结果之间能够较好地吻合.针对传统结终端结构的弊端,提出了一种新型结终端结构,大大提高了产品的击穿电压和可靠性.