带过流自保护功能高压大功率VDMOSFET的研究

摘要

研制出一种高可靠性、具有过流自保护功能的高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ器件，它采用与常规ＶＤＭＯＳＦＥＴ工艺相同，结构不同的设计。该器件的漏＝源击穿电压大于２００Ｖ〈正常工作电流大于２Ａ，过流自保护小于４Ａ，它能大大提高应用的可靠性。