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马瑞芬; 张宝才;
济南半导体实验所;
MOS管; 光刻; 蒸发; 栅氧化; MOSFET;
机译:采用600V类超结MOSFET工艺的高击穿电压(> 1000 V)半超结MOSFET
机译:NBTI退化对具有几何和工艺变化的先进工艺45 nm高κPMOSFET的影响
机译:电源和电源电路:功率MOSFET输入阻抗不高/低阻抗
机译:双金属/高k栅极镶嵌工艺在(100)衬底上使用顶切双应力衬垫实现双极/高k栅极镶嵌工艺增强的超高性能n和p-MOSFET
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:具有高K电介质的锗mosfets的栅极堆叠工程
机译:高输入阻抗放大器
机译:高输入阻抗放大器-输入级具有过量的电压保护二极管和MOSFET组件
机译:具有高输入阻抗和高电流能力的晶体管结构及其制造工艺
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