日本研发了一种生长高质量GaN晶体的新技术

摘要

据外媒报道﹐日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同,新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底﹐以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。