采用水溶性反差增强材料的G-线光刻技术

摘要

在用光学曝光获得亚微米刻蚀方面,反差增强技术是简单有效的方法之一。近年来日益受到重视。在正性抗蚀剂膜层上施用水可溶性光褪色材料,更有其独特的优点:可用亲水聚合物作反差增强层(CEL:Contrast Enhancement Layer)载体物质,涂敷时不会和疏水的正性抗蚀剂膜发生混层现象;当正性抗蚀剂在碱性水溶液中显影时,反差增强层即可同时除掉。因而,涂敷和加工都很方便。日本松下电气半导体研究中心的远藤政孝等人对此进行了系统的研究。现作一简要介绍。一、反差增强材料(CEM:Contrast Enhancement Materials) 所采用的水溶性CEM称为WSP(Water-Soluble Photopolymer),主要由三种组份构成: