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赵佶;
石墨烯 FET 日本东北大学 纳米带 学术杂志 硅半导体 高集成化 Insulator 新型碳材料 技术开发;
机译:IBM展示了石墨烯FET的带隙和高导通/截止电流
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:低导通电阻SiC沟槽/平面MOSFET,具有降低的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:4H-SIC的高开/关比具有高开/关率的外延石墨烯FET
机译:支持石墨烯界面的基本研究:石墨烯场效应晶体管(FET)中缺陷密度和理想石墨烯 - 硅肖丝狄克二极管
机译:高我开/我截止电流比石墨烯场效应晶体管:线缺陷的作用
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发
机译:通过对石墨烯进行一次或多次弯曲变形,以控制晶体管和石墨烯单电子晶体管和隧穿型石墨烯晶体管的电导通/截止
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