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科信;
氮化镓; 低电阻; 高频应用; 高阻; 格拉斯哥大学; 移动通信领域; 信号耦合;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:氮化镓基功率器件的发展趋势与硅器件相比,它实现了低损耗,高击穿电压和高温工作,每个公司的发展都在朝着大规模生产迈进。
机译:高性能光电探测器的氮化镓和氮化氮化镓和氮掺杂单层石墨烯杂化异质结构的制造
机译:用于集成非线性光学器件的氧化镓衬底上的氮化镓
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓上的LED与铝/氮化镓上的器件的集成,氮化镓在LED AC的硅衬底上的集成
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:将氮化镓LED与氮化铝镓/氮化镓器件集成在用于AC LED的硅基板上
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