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陈骞; 丁文华; 习毓; 刘琦; 单长玲;
西安卫光科技有限公司 陕西西安710065;
高温反偏; 漏源漏电; 终端结构; 截止环;
机译:功率VDMOS中带缺陷带隧穿引起的高温反向偏置应力下的结漏电流退化
机译:N沟道VDMOSFET晶体管的正偏应力和负偏应力的比较
机译:反激功率转换器中超结VDMOS的辐射EMI研究
机译:功率硅二极管(晶闸管)在高温下的反向电流不稳定性和结表面泄漏电流
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:漏电流补偿,低功率带隙温度传感器的高温特性分析
机译:中子引起的漏电流的高温退火和低电阻率和高电阻率硅探测器中的相应缺陷水平
机译:带离散高压骰子和集成场板的重组晶圆包装,可实现高温泄漏电流的稳定性
机译:带高压离散有源骰子和集成场板的重组晶圆包装,可实现高温泄漏电流的稳定性
机译:具有高压分立有源管芯和集成场板的重构晶片封装,具有高温泄漏电流稳定性
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