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尹志岗; 张兴旺; 吴金良;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083中国科学院大学材料与光电研究中心 北京100049;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京100083;
微重力; 晶体生长; Ⅲ-Ⅴ族半导体;
机译:石英晶体微重力法研究的6A族无机半导体膜的沉积
机译:宽带隙Ⅲ族氮化物生长的研究进展与展望:单晶块状GaN生长方法的发展
机译:Ⅲ族氮化物半导体微盘激光器的研究进展
机译:等温枝晶生长实验:微重力下材料遥操作控制的研究进展
机译:掺入III-V族半导体纳米复合材料的脉冲激光烧蚀法生长镧系元素的纳米颗粒。
机译:通过自然冷却过程生长高材料质量的III族-锑化物半导体纳米线
机译:IV族半导体中基于自旋光发射的研究进展
机译:III-V族化合物半导体中生长缺陷与生长参数的研究
机译:制造半导体发光器件的方法,制造半导体器件的方法,制造器件的方法,生长氮化物III-V族III族-V族复合半导体层的方法,生长半导体层的方法以及生长层的方法
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