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半导体材料晶体的等效微重力生长

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本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|33-37|共5页
会议地点厦门
作者
徐岳生; 刘彩池; 王海云; 唐蕾;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.054;
关键词
等效微重力; 动力粘滞系数; 半导体材料; 晶体生长; 砷化镓;

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