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商荃皓;
锦州市警务服务中心 辽宁 锦州 121001;
多晶硅发射极; 微波功率晶体管; 设计;
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第一部分:通过电学测量获得的多晶硅发射极中的能带结构
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第二部分:由于多晶硅发射极中的残余应力导致的带变形
机译:多晶硅中硼扩散的研究及其在浅发射极结的p-n-p多晶硅发射极双极晶体管设计中的应用
机译:关于热载流子引起的退化,温度,偏置和发射极几何形状对多晶硅发射极双极晶体管直流特性的依赖性
机译:区域熔化再结晶绝缘体上硅制多晶硅发射极晶体管的研究
机译:基于多晶硅薄膜晶体管的有源像素成像阵列噪声性能的理论研究
机译:多晶硅发射极双极晶体管发射极延迟的紧凑电荷比表达式
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:用于双极晶体管的自调节外延发射极的生产工艺在基极上方形成发射极层,然后覆盖掺杂的多晶硅并进行退火
机译:硅晶体管的制造方法,该晶体管部分覆盖有发射极-发射极特性
机译:绝缘体上的多晶硅集电极多晶硅发射极双极晶体管
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