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张沛;
兰州交通大学 730070;
硅; 超结; 半超结;
机译:研究有机溶剂对PEDOT:PSS / p-Si异质结二极管电学特性的影响
机译:ZnSe / Si异质结二极管的电学特性研究
机译:真空镀膜法制备n-ZnO / p-Si异质结二极管的电学特性研究
机译:垂直GaN超结FinFET:新型器件,可实现多千瓦和兆赫兹功率开关
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:4H-SIC漂移步骤回收二极管具有硬度恢复的超结
机译:InGaas超浅结的电学特性
机译:用于皮秒范围大功率开关的碳化硅(siC)结恢复二极管的研究与开发
机译:具有包括间隔开的超晶格的超突变结区域的变容二极管的方法
机译:制造超交界处的方法,以及使用相同的超结肖特基二极管
机译:用于β伏特能源的PN半导体二极管,即超结二极管,具有布置在矩形体积内部区域的放射性源,该矩形体积由外部边缘和空间电荷区域层定义
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