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基于0.25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

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文章对MOS管的变容特性结合现有的文献作了简要分析,以0.25μm工艺的INMOS的变容特性作了深入分析,并利用Hspice进行了仿真,对MOS管的变容特性作了深入讨论.并针对VCO电路对MOS的变容区间提出一些合理的建议.

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来源
《中国西部科技》 |2009年第29期|19-21|共3页
作者
徐进; 季爱明;
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作者单位

苏州大学电子信息学院;

江苏;

苏州;

215006;

苏州经贸职业技术学院机电系;

江苏;

苏州;

215008;

苏州大学电子信息学院;

江苏;

苏州;

215006;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属压力加工 ;
关键词
MOS ; Hspice ; INMOS; VCO ;

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