宇航用VDMOS的自动测试系统设计

摘要

为了评估宇航用VDMOS的电参数及抗辐射性能,本文提出一个新的宇航用VDMOS参数测量系统.在虚拟仪器架构上开发自动测量程序及设计测量夹具,引入高DC偏置电容测量与多路复用开关技术,构建出一套多模式全自动切换、高精度、快速参数测量系统.使用本系统对自主研发的一款应用于宇航电子继电器的高压大功率VDMOS开关管芯片的电参数和抗辐射性能进行实测分析.分析了芯片的传输特性、 阈值电压、寄生电容等特征参数在总剂量辐照前后偏差.讨论了管芯栅氧厚度与总剂量辐照参数偏移量的关系,以及抗单粒子辐照极限工作电压值.测试结果表明该VDMOS芯片性能良好,为后续的改进及实际应用提供了依据,同时该测试系统具备高效率,高测量精度等优点.