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姚艺龙; 陶允刚; 郑国强; 余传杰;
中国电子科技集团公司第四十三研究所;
安徽合肥230088;
SU-8光刻胶; 光刻工艺; 加速膛; 爆炸箔;
机译:通过双UV曝光光刻技术对带有SU-8光刻胶的波导进行可调折射率调制
机译:使用X射线和离子束光刻技术比较新型光刻胶(DiaPlate 133)与SU-8
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:SU-8负性光刻胶的平面和倾斜X射线光刻技术制造的多层微结构和模具嵌件
机译:精密准分子激光光刻技术,用于带有厚光刻胶的圆柱形基板。
机译:SU-8光刻胶的185 nm扩散光光刻技术原型制作的具有轴突分离的微流体长期梯度发生器
机译:基于传统UV光刻技术的新型SU-8纳米流体芯片制造技术
机译:氧等离子体对厚聚对二甲苯薄膜的图案化作为爆炸箔引发剂的应用
机译:具有厚垂直壁的光刻胶图案的微光刻技术
机译:砂浆弹壳可避免在发射时过早爆炸-装有燃烧装置,以爆炸装药和助推药后压入膛内
机译:外部翅片和管架上的壁架的爆炸焊接-爆炸物在膛孔中引爆,将管子引爆到预应力壳体中的翅片上
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