掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究

摘要

用提拉法生长的Ce(0.09%),Cu(0.01%),LiNbO3晶体和Zn(3%),Fe(0.09%),LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储.实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果.