二苯磷酰基取代四苯基硅的合成及在构筑宽禁带聚合物中的应用

摘要

设计并合成了二苯磷酰基取代的四苯基硅基团,并将其作为宽禁带聚合物母体材料构筑基元,通过Suzuki反应偶连3,6位取代的咔唑合成了聚合物SiCzP.对聚合物的结构进行了系统的表征.与模型聚合物SiCz相比,二苯磷酰基的强吸电子能力,降低聚合物母体材料的LUMO能级,更有利于电子的注入.SiCzP与SiCz的玻璃化转变温度分别为219与227℃,失重5%时的分解温度分别为441与426℃.二者均具有良好的成膜性,掺杂器件初步结果表明,二苯磷酰基的引入使器件的亮度和效率都得到提高,其最大流明效率和功率效率比SiCz分别提高了98%和75%.