氧化锌纳米线阵列的制备工艺优化研究

摘要

采用催化剂辅助化学气相沉积法，在匹配的GaN衬底上定向生长一维ZnO纳米结构。重点讨论了催化剂、沉积位置和管内真空度的对比性优化实验结果，分析给出了纳米阵列最佳的生长工艺条件。在管内压强保持1Kpa～2 Kpa范围，距反应中心12.5 cm处，成功研制出了整片尺寸均匀、形貌优良、垂直排列的高质量ZnO纳米线阵列。