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张双; 程养春;
高电压与电磁兼容北京市重点实验室 华北电力大学 北京102206;
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京 102206;
绝缘栅双极型晶体管; 快恢复二极管; 电流分布;
机译:不同直流断路器电路拓扑中并联IGBT的均流研究
机译:谐振负载下软开关和硬开关IGBT的红外热成像功率损耗和电流分布研究
机译:在-40°C和+ 200°C之间的IGBT器件上的压接技术研究
机译:微观研究有机半导体中电荷的命运:扫描开尔文探针测量p型和n型器件中的电荷俘获,传输和电场
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:不同直流断路器电路拓扑中并联IGBT的电流共享研究
机译:II型超导体表面附近磁通量和临界电流分布的研究。
机译:半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有p型绝缘层,该p型绝缘层具有开裂,该开裂在凹入部分的底部和侧壁之间具有边界
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:IGBT器件背面结构及其制备方法和IGBT器件
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