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弓小武; 高玉民;
不详;
电力半导体器; 终端; 数值计算;
机译:利用浅沟槽和场限制环的功率器件改进的结终端设计
机译:具有漂移场的双极PN结器件的电流-电压特性,包括载流子寿命与浅杂质浓度之间的相关性
机译:高压功率器件(IGBT)多区结终端延伸的优化设计
机译:用于高压SiC电源器件的超高角度弯曲结终端延伸
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于电热流多物理场耦合仿真的XLPE海底高压电缆温度场和载流量分析
机译:高压4H-SiC PiN二极管结终端结构的仿真和实验研究
机译:具有多区域结终端扩展的半导体器件及其制造方法。
机译:集成有高压MOS(HVMOS)器件和高压结终端(HVJT)器件的BOOTSTRAP金属氧化物-半导体(MOS)器件
机译:具有高压MOS(HVMOS)器件和高压结终端(HVJT)器件的自举金属氧化物半导体(MOS)器件
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